拉晶過程全程自動(dòng)化
在惰性氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，
用直拉法生長無位錯(cuò)單晶的設(shè)備。
性能優(yōu)勢(shì)
設(shè)備主體結(jié)構(gòu)優(yōu)化，提高了整機(jī)穩(wěn)定性。
具有拉制12英寸COP FREE半導(dǎo)體單晶硅棒的功能。
采用新型隔離閥。
液面高度監(jiān)控系統(tǒng)。
高精度傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。
雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。
| 8英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶爐 | |||
| 型號(hào) | FT-CZ1200Se | ||
| 場(chǎng)所 | 周圍溫度 | 15 ~ 30℃ | |
| 周圍濕度 | ≤65%（無結(jié)露，腐蝕氣體） | ||
| 潔凈度 | 5000級(jí)凈空房 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 電源 | 額定電壓 | 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz | |
| 額定電容 | 320kVA | ||
| 額定流量 | 500A | ||
| 冷卻水 | 流量范圍 | 350 ~ 400L/min | |
| 供給壓力 | 0.3 ~ 0.5MPa | ||
| 重量 | 設(shè)備高度 | ＜8290mm △ | |
| 設(shè)備重量 | 約23T | ||
△ 項(xiàng)數(shù)據(jù)視上爐筒高度而定，本設(shè)備數(shù)據(jù)不含磁場(chǎng)。
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